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3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm
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3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm

响应波长范围2.5-6.5μm;波长3μm;相对响应强度≥6.5×10^9cm×Hz^(1/2)/w@3μm;光敏面大小0.1mm×0.1mm

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    上海 上海 青浦区 佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
加工定制:是品牌:VIGO System S.A.型号:MCT-PV-3-0.1×0.1
种类:探测器

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm详细介绍


PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,具有***的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在***提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe,3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe


光谱响应

2.5-6.5um 


技术参数


产品特点

● 可探测中红外光波范围2.5-6.5μm

● 可配专用前置放大器

● 提供TO39与BNC两种封装形式



产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测


技术参数

参数

探测器型号










PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6







有源元件材料

外延MCT异质结构










zui佳波长λopt(μm)

3

3.4

4

5

6






相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥8.0×109

≥7.0×109

≥5.0×109

≥2.0×109

≥1.0×109






相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥6.5×109

≥5.0×109

≥3.0×109

≥1.0×109

≥5.0×108






电流响应度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.0

≥1.0






时间常数T,ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤180






电阻×光敏面面积R·A,Ω?cm^2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002






感光面尺寸A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1










封装

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

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~102°

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