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InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um
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InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um

光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度@1550nm:0.8***/W;6针TO8封装;SMF-28E光纤耦合;FC/APC;带TCE

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  • 地   址:
    上海 上海 青浦区 佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
加工定制:是品牌:optolabs型号:IGA-APD-GM104-R-TEC
种类:探测器

InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um ,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um


产品特点

● 光谱响应范围0.9~1.7μm 

● 高探测效率、低暗计数率 

● 6 pin TO8

产品应用

● 弱光探测 

● 量子保密通信 

● 生物医疗

技术参数

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-TEC






参数

符号

单位

测试条件

最小

典型

反向击穿电压

VBR

V

22℃±3℃ ,ID =10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗电流

ID

nA

22℃±3℃,M =10


0.1

0.3

电容

C

pF

22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



0.25

击穿电压温度系数

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15


盖革模式参数

参数

单位

测试条件

最小

典型

单光子探测效率 PDE

%

-45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布单光子源

20



暗计数率 DCR

 

kHz

-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



 

20*

后脉冲概率 APP


-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45℃,1ns 门宽,2MHz门控重频,PDE=20%



100

* 可提供不同等级规格产品


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