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ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs
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ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs

代理海外上百个品牌,产品可定制,上海市高新技术企业,建有***的AOL(AdvancedOpticalLabs)光学实验室。

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  • 供货总量: 1件
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  • 地   址:
    上海 上海 青浦区 佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
加工定制:是品牌:optolabs型号:UPD-35-IR2-FR
种类:探测器

总览


ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测***为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独te的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和高的响应速度。 

完quan的阻抗匹配和***的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。***了UPD产品为不同的应用提供的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个急好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。

ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs,ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs



通用参数

单位(mm)


技术参数

产品型号

上升时间ps

带宽GHz

光谱范围nm

光敏面积直径μm/mm2

暗电流nA

输出接口

材料

UPD-15-IR2-FC

<15

>25

800-1700

光纤, 9 ?m

0.1

SMA

InGaAs

UPD-30-VSG-P

<30

>10

320-900

200×200 / 0.04

0.1

SMA

GaAs

UPD-35-IR2-P

<35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-D

<35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FR

<35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FC

<35

>10

800-1700

光纤, 9 ?m

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-P

<35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-D

<35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-40-VSI-P

<40

>8.5

500-1690

200×200 / 0.04

5000

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-P

<40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-D

<40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FR

<40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FC

<40

>8.5

800-1700

光纤, 9 ?m

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-P

<40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-D

<40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-50-SP

<50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-SD

<50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UP

<50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UD

<50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-70-IR2-P

<70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-D

<70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FR

<70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FC

<70

>5.0

800-1700

光纤, 9 ?m

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-P

<70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-D

<70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-100-IR1-P

<100

>3.0

400-2000

80 / 0.005

700

SMA

Ge

UPD-200-SP

<175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-SD

<175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UP

<175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UD

<175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-300-SP

<300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-SD

<300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UP

<300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UD

<300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-500-SP

<500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-SD

<500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UP

<500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UD

<500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-3N-IR2-P

<150

>0.4

800-2100

300 / 0.07

90

BNC

InGaAs

UPD-5N-IR2-P

<200

>0.3

800-2600

300 / 0.07

2000

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P

<75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

5

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P-1TEC

<75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

0.3

BNC

InGaAs



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