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铌酸锂 1550nm 高频相位调制器(10GHZ的电光带宽)
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铌酸锂 1550nm 高频相位调制器(10GHZ的电光带宽)

铌酸锂高频相位调制器1550nm(10GHZ的电光带宽)

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    上海 上海 青浦区 佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
加工定制:是品牌:Microphotons型号:PM-1550-10G-PM-FA
种类:移相器

铌酸锂 1550nm 高频相位调制器(10GHZ的电光带宽)详细介绍

总览

1064/1310/1550nm 铌酸锂(LiNbO3)高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导,输入输出光纤与波导精密斜耦合,利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散(Ti-indiffusion)或质子交换(APE)波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。

1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器(10/20GHZ电光带宽),1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器(10/20GHZ电光带宽)

铌酸锂高频相位调制器1550nm(10GHZ的电光带宽) 1550nm

通用参数

产品特点 

低插入损耗

 低驱动电压

 钛扩散或质子交换波导

 优异的长期稳定性

产品应用

 光纤通信

 微波光子

 ***通信

 光学传感

 光学啁啾


技术参数

参数

单位

最小值

典型值

型号


PM-1064/1310/1550-10G-PM-FA



半波电压DC直流电极

V


3.5

4.5

电光带宽S21@-3dB

GHz

10


20

RF 半波电压@DC

V


3.5

4.0

偏置半波电压

V



5.0

抖动

dB


0.5

1

电回波损耗S110-20GHz

dB


-12

-10

射频连接器输入电阻

Ω


40


输入阻抗直流连接器

Ω


>1M


晶体:Lithium Niobate

.

X-cut Y-propagation



波导制作(waveguide process)


APE工艺



插入损耗

dB


3.0

4.0

光回波损耗

dB


<-45


波长相关损耗(1480-1600nm)

dB


0.5

1.0

直流(DC)消光比

dB

20

22


输入光纤


Panda保偏光纤1.5米长,900um



输出光纤


SMF-28单模光纤1.5米长,900um(PMF可选)



输入RF连接器


SMA



DC连接器


Pin feed-through直径:1.0mm



封装尺寸

mm

110 x12.5 x9.0



工作温度

0~ +70



存储温度

-40 ~ +85



DC输入电压

V

±20



RF输入功率

dBm

+28



输入光功率

mW

200(APE工艺)




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