| 加工定制：是 | 品牌：Microphotons | 型号：AgGaSe2 |
| 种类：复用器 |
总览
AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频***晶体材料，对中红外激光的倍频效***,是***非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 &＃39;AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源;用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源;早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频;上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。
AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 ?m。
AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体
技术参数
主要特性
复合物 | AgGaSe2 | |
透光率, ?m | 0.76 – 18 | |
单轴负晶 | no > ne (at λ <0.804 μm ne > no) | |
非线性系数, pm/V | d36 = 39.5 @10,6 ?m | |
对称度 | 四方晶系, -42m point group | |
典型反射系数 | 10.6 ?m 5.3 ?m | no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811 |
光学损坏阈值, MW/cm2 | 2000 nm | 13 |
离散角, ° | 5.3 ?m | 0.68 |
热导系数 k, WM/M°C | 1.1 | |
频带隙能量, eV | 1.8 | |
光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μm | n0= ne, λ = 0.804 |
光学元件参数
定位精度, arc min | <30 | |
平行度, arc sec | <40 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 |
应用
有效中红外辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17?m的光学参量振荡器、光学参量放大器等
各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 ?m)
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
