产品特性：见参数表	加工定制：是	品牌：Microphotons
型号：OVQT-A200M50	种类：探测器	输出波长：见参数表nm
线宽：见参数表mm

总览

高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装，接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。

大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版光敏面直径200um 增益50）,大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版光敏面直径200um 增益50）

产品特点

光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm

光敏面直径 200μm

高响应度、低暗电流

高可靠性

产品应用

人眼安全激光雷达、激光测距

光时域反射计(OTDR)

空间光通信

仪器仪表

光纤传感

通用参数

使用注意事项

采取必要的ESD 防护措施，以避免静电损伤

InP 基的芯片易碎，取用时应注意操作，推荐用真空吸附工具

芯片级光电参数

产品型号	OVQT-A200M50
参数	符号	单位	测量条件	最小	典型
光敏面直径	Φ	μm	-	200
单位增益响应度	Re	A/W	λ = 1.55μm, Pin = 1 μW	0.95	1.05	-
增益	M	-	VR =VBR -3V	10	18	-
增益	Mmax	-	VR =VBR - 1V	45	50	-
暗电流	ID	A	VR =VBR -3V	-	6.0	25
暗电流温度系数	ΔTID	/℃	VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃	-	-	1.1
电容	Ct	F	VR =VBR-3V, f=1MHz	-	2.0	2.5
-3dB 带宽	f-3dB	GHz	M=10, RL=50Ω	0.4	1.4	-
反向击穿电压	VBR	V	ID = 10μA	30	42	80
击穿电压温度系数	?	V/°C	-40 ~ +85°C	0.1	-	0.15

额定值

参数	符号	额定值	单位
反向电流	IR	2	mA
正向电流	IF	10	mA
工作温度	Tc	-40 ~ +85	℃
存储温度	Tstg	-55 ~ +125	℃

典型特性曲线

公司简介
筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m?的办公区域，建有500平***的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各***高校、科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。
主要经营
激光器/光源
半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）
光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）
光学元件
光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件
激光分析设备
高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等
光纤处理设备
光纤拉锥机、裸光纤研磨机。